在本項研究中，研究人員利用硫碘共輔助化學氣相傳輸法制備了具有充分暴露{111}面的八面體晶體硅，隨后用簡單超聲液相剝離技術即可實現二維硅納米片的大量制備，其橫向尺寸約200 nm，平均厚度約13 nm。利用近紅外光具有比可見光更強的組織穿透能力，在波長為785 nm的激光激發下，SiNSs能產生非常強的拉曼散射信號，容易與蛋白質和有機物的信號進行區分，實現了細胞內生物光子成像。此外，SiNSs在1064 nm處的消光系數達到11.3 L·g–1·cm–1，光熱轉換效率為21.4％，能有效地將NIR-II區的光吸收轉換成熱，實現對腫瘤細胞的高效殺傷。該結果也驗證了SiNSs用作癌癥治療的潛力。

該研究工作中晶面選擇性解理的策略可為非范德華材料的二維納米結構制備提供借鑒，而SiNSs優異的近紅外生物光子學特性和良好的生物相容性，也可能在未來的納米醫藥中取得進一步成功。該研究工作得到了國家自然科學基金、中國科學院青年創新促進會、廣東省特支計劃等項目的支持。

硅納米片的制備及其近紅外拉曼成像和細胞光熱治療

二維硅納米片的制備及生物光子學應用：（a）硅的晶體結構示意圖及各晶面解理能；（b）化學氣相傳輸法制備八面體硅和探頭超聲制備SiNSs的示意圖；（c）Hela細胞的明場圖像；（d）細胞內2D SiNSs拉曼散射譜；（e）細胞拉曼成像圖（白色虛線描繪了細胞輪廓，箭頭指示了SiNSs的細胞內分布）；（f）含有不同濃度SiNSs的Hela細胞在1064 nm激光光照5 min后的存活率和熒光照片。